模拟电子线路作业题参考答案
第1章
11解：（1）cm cm 该半导体N型
（2）cm cm该半导体P型
13 解：（1）53mA (2) 132 049
14解：（1）mA （2）mA
（3）mA （4）
（5）E增加直流电流增加交流电阻降
16解：(1)图(a)中V2导通V1截止U0＝5V
(2)图(b)中V1导通V2截止U0＝0V
(3)图(c)中V1V2均导通时
17解：(1)图(a)中：ui＞27V时V截止u0＝2Vui≤27V时V导通u0＝ui+07ui＝5sinωt(V)时应u0波形图答图17(a)示
(2)图(b)中：ui＞13V时V截止u0＝uiui≤13V时V导通u0＝13V相应波形答图17 (b)示
答图17
19解：该电路高电选择电路u1u2中少3Vu0＝307＝23Vu1u2均0时uo＝07V波形答图19(c)示
答图19
110解：ui≥5V时Vz击穿u0＝5Vui≤07V时Vz正导通u0＝07V
07V＜ui＜5V时Vz截止u0＝ui画出u0波形答图110示
答图110
111 解：（1）
式中0V
式中 mAV18V
选择R应满足：400 (2) 时mA
达时 （V）
时（V）
变化范围145~17V
第2章
21
8V
0V
07V
硅NPN
8V
0V
07V
硅PNP
1V
4V
37V
锗PNP
9V
43V
锗NPN
4V
题图（a）：
题图（b）：
题图（c）：
题图（d）：
23题图（a）3AXPNP锗V（正偏）V（反偏）放状态
题图（b）：e结反偏c结反偏截止状态
题图（c）：e结正偏c结正偏饱状态
题图（d）：e结开路晶体损坏
26解：（1）Q1点：
（2）
27解：
题图（b）：发射结导通假设子工作放状态
假设成立子处放状态
题图（c）：发射结导通假设子工作放状态
mA
表明晶体处饱状态
29
（2）RB1开路时IBQ0子截止UC0
RB2开路时
214 解：图（a）输出信号短路进行电压放
图（b）输入信号短路进行电压放
图（c）e结零偏子截止正常放
图（d）e结零偏进行放
图(e)会e结烧坏输入信号短路电路正常放
图(f)电路正常放
217解：（1）变变变斜率变变化减移增加移
（2）负载线斜率变变变变变增加工作点移反降工作点移
218C1
RB 500
k
RC
2k
C2
T
+
uo
(a)
CE
RE
1k
(b)
题图218
2
4
6
8
10
12
2
1
3
4
5
6
10A
20A
30A
40A
50A
60A
uCEV
iCEmA
①
②
③
④
0
ui
+
解：（1）输出特性理想化
（2）先求工作点（A）直流负载线取两点
直流负载线图218（b）中①线工作点Q(VmA)交流负载线斜率图218（b）中②线（交流负载线）
（3）时直流负载线变图214（b）中①线交流负载线斜率图218（b）中③线
（4）工作点应选交流负载中点图218（b）中③线（1k）移直流负载线①线交点交流负载线中点点（VmA）时3V
调节A解k
220解：（1）求动态范围应满足
(2)直流负载线知：
223解：（1）计算工作点
已知A（mA）
(V)
关系式出电路输出端没隔直电容负载电阻工作点关式解Ｖ
（k）（k）
（2）计算源电压放倍数
先画出图223电路信号等效电路图示
iiib
RC
RL
rce
ic
io
Uo
+
+
Us
+
()
Ro
Ri
Rs
（3）计算输入电阻输出电阻kk
ib
Us
+
RL
RE
Ro
+
Ui
Ri
+
RC
(b)
227电路题图227示BJTmA基极静态电流电流源IB提供设ARS015kWk试计算电容C信号视短路
ib
Uo
RS
C
V
RL
+
+
Uo
Us
+
Ui
IB
Ri
Ro
RE
题图227
RS
解： （mA） （k）
信号等效电路图(b)示
（k）
辅助电源法求输出电阻
229解：交流通路信号等效电路分图229（b）（c）
V
RC
RE
RL
RS
vs
+
+
vi
Ri
Ro
+
vo
(b)
RS
Us
+
+
Ui
Ri
RE
rbe
RC
RL
βib
ic
ie
io
Ro
(c)
图229
+
Uo
ib
辅助电源法求晶体基组态输出电阻
230
234V1
V2
RB
RC
RE
Ri
Ro
RL
+
Ui
+
Uo
题图234
UCC
+
Ui
RB
V1
V2
RE
Ri
Ri1
Ri2
Ro
RC
RL
+
Uo
(a)
(b)
解（1）该电路交流通路图234(b)示
（2）k
k
236
解 (1)交流通路直流通路分题图236(b)(c)示
RS
+
Us
RE1
R3
R4
R6
RL
+
Uo
V1
V2
(b)
UCC
V1
R2
R3
R1
RE1
V2
R4
R5
R6
VCC
(c)
题图236
R5
(2) V1组成基电路V2组成射电路信号电路输入端输出端负载级间均采阻容耦合方式
(3) R1R2晶体V1基极偏置电路R1短路V1截止
(4) RE1开路V1直流通路V1截止
第3章
31 解：FETJFETMOSFETJFETP沟（正）N沟（负）分MOSFET中耗型P沟N沟（正零负）增强型P沟（负）N沟（正）
图 (a)：N沟耗型MOSFET2mAV
图 (b)：P沟结型FET3mA V
图 (c)：N沟增强型MOSFET意义 V
33解：图 (a)中N沟增强型MOSFETVVVV工作恒流区变电阻区交界处（预夹断状态）
图 (b)中N沟耗型MOSFETVVVV工作变电阻区
图 (c)中P沟增强型MOSFETVVVV工作恒流区
图（d）中N沟JFETVV工作截止区
35解(1)
解：
(2)
解：
312
第4章
41解：(1)题图41：中频增益40dB100倍fH106Hz fL10Hz（fHfL处增益中频增益降30dB）
(2)时中f104Hz频率中频段频率高频段见输出信号产生失真高频失真
时f5Hz频率低频段f104Hz频率中频段输出产生失真低频失真
ω Mrads
43
40
20
0
400
40
4
04
ω Mrads
0
90
45
(b)
题图43
相频特性似波特图图43(b)示
44解：（1）输入信号单频率正弦波存频率失真问题输入信号幅度较（01V）100倍放峰峰值01×2×100＝20V已超输出失真动态范围（UOPP10V）输出信号产生严重非线性失真（波形出现限幅状态）
（2）输入信号单频率正弦波然处高频区存频率失真问题信号幅度较10m V放峰峰值100×2×10＝2V出现非线性失真
(3) 输入信号两频率分量分10Hz1MHz均处放器中频区会产生频率失真信号幅度较（10m V）会出现非线性失真
（4）输入信号两频率分量分10Hz50KHz处低频区处中频区放会出现低频频率失真信号幅度叠加放器未超线性动态范围会非线性失真
（5）输入信号两频率分量分1KHz10MHz处中频区处高频区信号放会出现高频频率失真样输入幅度会出现非线性频率失真
46
+
VCC
Uo
+
RB
500k
RC
2k
RE
RL
2k
C1 10uF
RS
09k
C210uF
(a)
+
RS
Us
RB
rbb’
Ub’e
Cb’e
Cb’c
gmUb’e
RCRL
+
Uo
+
rb’e
(b)
Us
10uF
解：(1)高频等效电路题图46(b)示：
(1) 利密勒似Cb’c折算输入端
47
RS
+
Us
+
Uo
UDD
RS
+
Us
gmUgs
Cds
Cgd
+
Ugs
Cgs
(a)
(b)
RD
+
Uo
RD
T
解：（1）高频等效电路图47(b)示
(1) 图47(b)中考虑Cgd输入回路米勒等效电容忽略Cgd输出回路米勒等效电容电容Cds限频率ωH
第5章
52 解：图52具基极补偿电流源电路先求参考电流
（mA）
（mA） （mA） （mA）
54 解(1)电路称
(2)差模电压增益
19
5
2
2
)
1
5
2
1
(
1
5
50
2
1
＇
»
+
´
´
+
e
b
b
L
C
ud
r
R
R
R
A
b
差模输入电阻：
W
W
+
+
k
k
r
R
R
e
b
id
9
)
5
2
2
(
2
)
(
2
＇
B
差模输出电阻：
(3)单端输出差模电压增益：
模电压增益：
模抑制：
模输入电阻：
模输出电阻：
(4)设晶体UCB0进入饱区略RB压降
保证V1V2工作放区正模输入电压Uic应满足式：
保证V1V2工作放区负模输入电压Uic应满足式：
否晶体截止
模输入范围
56
(2)
波形图示
uo
1
1
3
Aud减Rid增
58 +
V1
V2
ui
20V
IE
RC
5k
RC
5k
V3
5k
20V
+
uo
uoV
ωt
143
5V
0
(b)
(a)
解：略V3基极电流影响
输出电压静态电压143
略V3输入电阻V2负载影响图58(a)出失真输出电压峰值
根线性放计算
明显输出电压失真双限幅图58(b)示
59
(a) (b)
解：（1）Uid12V>>01V电路呈现限幅特性u0波形题图(b)示
（2）RC变时u0幅度增值接±15V时饱截止
第6章
61 试判断题图61示电路级间反馈类型反馈极性
+
Ui
+
Uo
V1
V2
R1
R3
R5
R2
R4
UCC
（a）级间交直流串联电压负反馈
UCC
+
Ui
+
Uo
V1
V2
R1
R2
R3
(b)级间交直流串联电压负反馈
+
Us
RS
UCC
+
Uo
R8
R7
R6
R2
R1
R3
R4
R5
V1
V2
V3
V4
RL
UEE
(c)级间交直流串联电压负反馈
+
Ui
UCC
+
Uo
R1
R3
R7
R2
R4
R6
R5
V1
V2
V3
V4
(d)级间交直流串联电压负反馈
62试判62示电路反馈类型反馈极性
Ui
Uo
R1
R2
R3
R4
R5
+
A1
+
A2
(a)级间交直流电压联负反馈
R6
Ui
Uo
+
A2
R2
R1
R5
R4
R3
+
A1
(b)级间交直流电压联正反馈
63
似计算：
精确计算：
67
69(1) (a)第级电流负反馈 Ro高第二级联负反馈求信号源阻高
电路连接合理第级串联负反馈求 RS越越
(b)第级电压负反馈 Ro低第二级串联负反馈求信号源阻低电路连接合理第级联负反馈求 RS越越
(2) (a)电路输入电阻高信号源阻变化时(a)电路输出电压稳定性源电压增益稳定性力强
(3) (a)电路输出电阻低负载变化时(a)电路输出电压稳定性源电压增益稳定性力强
611级间交直流电压串联负反馈
+
UCC
Uo
UEE
+
Ui
2k
10k
10k
120k
2k
47k
90k
10k
10k
2k
39k
V1
V2
V3
∞
低输入电阻低输出电阻应引入级间交流电压联负反馈
V3基极改接V2集电极输出端90kΩ电阻接V2基极改接V1基极
+
UCC
Uo
UEE
+
Ui
2k
10k
10k
120k
2k
47k
90k
10k
10k
2k
39k
V1
V2
V3
∞
613
ui
uo
R1
R4
R5
+
A1
+
A2
R2
R3
uo1
运放A1引入交直流电压串联负反馈
运放A2引入交直流电压联负反馈
ui
uo
R1
R4
R5
+
A1
+
A2
R2
R3
uo1
615RS
R1
R2
R3
R4
C1
C2
UCC
T1
T2
Uo
+
Us
+
(a)
(a)级间交流电压联负反馈
+
+
Us
Uo
T1
T2
C1
C2
R2
18k
R3
10k
R1
10k
R5
3k
R4
1k
RL
10k
R6
27k
(b)
UCC
RS
1k
(b)级间交流电流联负反馈
618解：(1) Auf(jf)幅频相频渐进波特图分图618(a)(b)示
20
40
60
80
dB
0
01
1
fπ
102
103
104
20dBdec
40dBdec
60dBdec
45o
135o
225o
fMHz
(a)
10
45odec
90odec
45odec
fMHz
0
45
90
135
180
225
270
(b)
(2)图618(a)知fπ316MHZf时反馈放器产生激
(3)留相位裕量图(a)出相应20lgAf60dB
(4) 20lgAf40dB
采补偿电容第极点频率移fd
补偿电容
果Auf1
621解：（1）题知开环放倍数
具3重极点放器果级附加移相－60°三级移相－180°加反馈会开始激级相移－60°°
导出应频率
然否满足振荡条件（附加相移＝－180°时|Au·F|否等1）
见该放器引入F01负反馈会产生激振荡
（2）求该放器产生激允许值Fmax？
（3）求45°相位裕度级相移－135°3＝－45°应限频率ω＝106开环增益
见求45°相位裕度反馈系数必须等007
第7章
71解：(a)根虚断特性
根虚短特性
(b)时电路转换反相输入求电路输出
时电路转换相输入求电路输出
根线性叠加原理总输出
74 解：运放A1输出运放A2输出运放A3构成双端输入求运算电路输出
78 解：(1)电路（a）反相例放器电路（b）相例放器传输特性曲线分图78′(a)(b)示
图78′
（2）输入信号输出信号波形分图78′(c)(d)示
720 解：(a)时输出处界状态发生翻转
根虚断特性
根线性叠加原理
时时
出回差电压 传输特性图720′(a)
(b)时输出处界状态发生翻转
根虚断特性
根线性叠加原理
时时
出回差电压 传输特性图720′(b)
(a) (b)
第8章
82解：(1)
(2)
(3)
88 (1)100kΩ1 kΩ电阻构成互补乙类功放电路运放构成相例放器间反馈通路引入级间电压串联负反馈
(2) 根
(3)
晶体参数应满足条件：
(4)
第9章
91 解：（1）
（2）二极VD1开路电路演变单相半波整流电路
（3）
93 解：（1）
（2）
（3）
94解：（1）电位器RW调端时时UO
电位器RW调端时时UO
输出电压UO调节范围9V～18V
（2）电位器RW调中间位置时
（3）电网电压升高时导致调整程：
97 解：（1）
（2）
（3）LM781213端正常情况承受电压危险情况短路时输出电流容易烧毁稳压器
（4）负载电流IL100mALM7812功率损耗
99 根图927说明输入电压uI降时串联脉宽调制开关型直流稳压电路稳压程
解：输入电压uI降时输出电压uO降采样电路uF降误差放器放输出uO1绝值降送入较器输出uO2占空增加致三极V2V1导通时间重加uC1占空增加续流二极VD滤波元件LC输出电压uO升抑制uO降达稳定输出电压作
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第1章
11解：（1）cm cm 该半导体N型
（2）cm cm该半导体P型
13 解：（1）53mA (2) 132 049
14解：（1）mA （2）mA
（3）mA （4）
（5）E增加直流电流增加交流电阻降
16解：(1)图(a)中V2导通V1截止U0＝5V
(2)图(b)中V1导通V2截止U0＝0V
(3)图(c)中V1V2均导通时
17解：(1)图(a)中：ui＞27V时V截止u0＝2Vui≤27V时V导通u0＝ui+07ui＝5sinωt(V)时应u0波形图答图17(a)示
(2)图(b)中：ui＞13V时V截止u0＝uiui≤13V时V导通u0＝13V相应波形答图17 (b)示
答图17
19解：该电路高电选择电路u1u2中少3Vu0＝307＝23Vu1u2均0时uo＝07V波形答图19(c)示
答图19
110解：ui≥5V时Vz击穿u0＝5Vui≤07V时Vz正导通u0＝07V
07V＜ui＜5V时Vz截止u0＝ui画出u0波形答图110示
答图110
111 解：（1）
式中0V
式中 mAV18V
选择R应满足：400
达时 （V）
时（V）
变化范围145~17V
第2章
21
8V
0V
07V
硅NPN
8V
0V
07V
硅PNP
1V
4V
37V
锗PNP
9V
43V
锗NPN
4V
题图（a）：
题图（b）：
题图（c）：
题图（d）：
23题图（a）3AXPNP锗V（正偏）V（反偏）放状态
题图（b）：e结反偏c结反偏截止状态
题图（c）：e结正偏c结正偏饱状态
题图（d）：e结开路晶体损坏
26解：（1）Q1点：
（2）
27解：
题图（b）：发射结导通假设子工作放状态
假设成立子处放状态
题图（c）：发射结导通假设子工作放状态
mA
表明晶体处饱状态
29
（2）RB1开路时IBQ0子截止UC0
RB2开路时
214 解：图（a）输出信号短路进行电压放
图（b）输入信号短路进行电压放
图（c）e结零偏子截止正常放
图（d）e结零偏进行放
图(e)会e结烧坏输入信号短路电路正常放
图(f)电路正常放
217解：（1）变变变斜率变变化减移增加移
（2）负载线斜率变变变变变增加工作点移反降工作点移
218C1
RB 500
k
RC
2k
C2
T
+
uo
(a)
CE
RE
1k
(b)
题图218
2
4
6
8
10
12
2
1
3
4
5
6
10A
20A
30A
40A
50A
60A
uCEV
iCEmA
①
②
③
④
0
ui
+
解：（1）输出特性理想化
（2）先求工作点（A）直流负载线取两点
直流负载线图218（b）中①线工作点Q(VmA)交流负载线斜率图218（b）中②线（交流负载线）
（3）时直流负载线变图214（b）中①线交流负载线斜率图218（b）中③线
（4）工作点应选交流负载中点图218（b）中③线（1k）移直流负载线①线交点交流负载线中点点（VmA）时3V
调节A解k
220解：（1）求动态范围应满足
(2)直流负载线知：
223解：（1）计算工作点
已知A（mA）
(V)
关系式出电路输出端没隔直电容负载电阻工作点关式解Ｖ
（k）（k）
（2）计算源电压放倍数
先画出图223电路信号等效电路图示
iiib
RC
RL
rce
ic
io
Uo
+
+
Us
+
()
Ro
Ri
Rs
（3）计算输入电阻输出电阻kk
ib
Us
+
RL
RE
Ro
+
Ui
Ri
+
RC
(b)
227电路题图227示BJTmA基极静态电流电流源IB提供设ARS015kWk试计算电容C信号视短路
ib
Uo
RS
C
V
RL
+
+
Uo
Us
+
Ui
IB
Ri
Ro
RE
题图227
RS
解： （mA） （k）
信号等效电路图(b)示
（k）
辅助电源法求输出电阻
229解：交流通路信号等效电路分图229（b）（c）
V
RC
RE
RL
RS
vs
+
+
vi
Ri
Ro
+
vo
(b)
RS
Us
+
+
Ui
Ri
RE
rbe
RC
RL
βib
ic
ie
io
Ro
(c)
图229
+
Uo
ib
辅助电源法求晶体基组态输出电阻
230
234V1
V2
RB
RC
RE
Ri
Ro
RL
+
Ui
+
Uo
题图234
UCC
+
Ui
RB
V1
V2
RE
Ri
Ri1
Ri2
Ro
RC
RL
+
Uo
(a)
(b)
解（1）该电路交流通路图234(b)示
（2）k
k
236
解 (1)交流通路直流通路分题图236(b)(c)示
RS
+
Us
RE1
R3
R4
R6
RL
+
Uo
V1
V2
(b)
UCC
V1
R2
R3
R1
RE1
V2
R4
R5
R6
VCC
(c)
题图236
R5
(2) V1组成基电路V2组成射电路信号电路输入端输出端负载级间均采阻容耦合方式
(3) R1R2晶体V1基极偏置电路R1短路V1截止
(4) RE1开路V1直流通路V1截止
第3章
31 解：FETJFETMOSFETJFETP沟（正）N沟（负）分MOSFET中耗型P沟N沟（正零负）增强型P沟（负）N沟（正）
图 (a)：N沟耗型MOSFET2mAV
图 (b)：P沟结型FET3mA V
图 (c)：N沟增强型MOSFET意义 V
33解：图 (a)中N沟增强型MOSFETVVVV工作恒流区变电阻区交界处（预夹断状态）
图 (b)中N沟耗型MOSFETVVVV工作变电阻区
图 (c)中P沟增强型MOSFETVVVV工作恒流区
图（d）中N沟JFETVV工作截止区
35解(1)
解：
(2)
解：
312
第4章
41解：(1)题图41：中频增益40dB100倍fH106Hz fL10Hz（fHfL处增益中频增益降30dB）
(2)时中f104Hz频率中频段频率高频段见输出信号产生失真高频失真
时f5Hz频率低频段f104Hz频率中频段输出产生失真低频失真
ω Mrads
43
40
20
0
400
40
4
04
ω Mrads
0
90
45
(b)
题图43
相频特性似波特图图43(b)示
44解：（1）输入信号单频率正弦波存频率失真问题输入信号幅度较（01V）100倍放峰峰值01×2×100＝20V已超输出失真动态范围（UOPP10V）输出信号产生严重非线性失真（波形出现限幅状态）
（2）输入信号单频率正弦波然处高频区存频率失真问题信号幅度较10m V放峰峰值100×2×10＝2V出现非线性失真
(3) 输入信号两频率分量分10Hz1MHz均处放器中频区会产生频率失真信号幅度较（10m V）会出现非线性失真
（4）输入信号两频率分量分10Hz50KHz处低频区处中频区放会出现低频频率失真信号幅度叠加放器未超线性动态范围会非线性失真
（5）输入信号两频率分量分1KHz10MHz处中频区处高频区信号放会出现高频频率失真样输入幅度会出现非线性频率失真
46
+
VCC
Uo
+
RB
500k
RC
2k
RE
RL
2k
C1 10uF
RS
09k
C210uF
(a)
+
RS
Us
RB
rbb’
Ub’e
Cb’e
Cb’c
gmUb’e
RCRL
+
Uo
+
rb’e
(b)
Us
10uF
解：(1)高频等效电路题图46(b)示：
(1) 利密勒似Cb’c折算输入端
47
RS
+
Us
+
Uo
UDD
RS
+
Us
gmUgs
Cds
Cgd
+
Ugs
Cgs
(a)
(b)
RD
+
Uo
RD
T
解：（1）高频等效电路图47(b)示
(1) 图47(b)中考虑Cgd输入回路米勒等效电容忽略Cgd输出回路米勒等效电容电容Cds限频率ωH
第5章
52 解：图52具基极补偿电流源电路先求参考电流
（mA）
（mA） （mA） （mA）
54 解(1)电路称
(2)差模电压增益
19
5
2
2
)
1
5
2
1
(
1
5
50
2
1
＇
»
+
´
´
+
e
b
b
L
C
ud
r
R
R
R
A
b
差模输入电阻：
W
W
+
+
k
k
r
R
R
e
b
id
9
)
5
2
2
(
2
)
(
2
＇
B
差模输出电阻：
(3)单端输出差模电压增益：
模电压增益：
模抑制：
模输入电阻：
模输出电阻：
(4)设晶体UCB0进入饱区略RB压降
保证V1V2工作放区正模输入电压Uic应满足式：
保证V1V2工作放区负模输入电压Uic应满足式：
否晶体截止
模输入范围
56
(2)
波形图示
uo
1
1
3
Aud减Rid增
58 +
V1
V2
ui
20V
IE
RC
5k
RC
5k
V3
5k
20V
+
uo
uoV
ωt
143
5V
0
(b)
(a)
解：略V3基极电流影响
输出电压静态电压143
略V3输入电阻V2负载影响图58(a)出失真输出电压峰值
根线性放计算
明显输出电压失真双限幅图58(b)示
59
(a) (b)
解：（1）Uid12V>>01V电路呈现限幅特性u0波形题图(b)示
（2）RC变时u0幅度增值接±15V时饱截止
第6章
61 试判断题图61示电路级间反馈类型反馈极性
+
Ui
+
Uo
V1
V2
R1
R3
R5
R2
R4
UCC
（a）级间交直流串联电压负反馈
UCC
+
Ui
+
Uo
V1
V2
R1
R2
R3
(b)级间交直流串联电压负反馈
+
Us
RS
UCC
+
Uo
R8
R7
R6
R2
R1
R3
R4
R5
V1
V2
V3
V4
RL
UEE
(c)级间交直流串联电压负反馈
+
Ui
UCC
+
Uo
R1
R3
R7
R2
R4
R6
R5
V1
V2
V3
V4
(d)级间交直流串联电压负反馈
62试判62示电路反馈类型反馈极性
Ui
Uo
R1
R2
R3
R4
R5
+
A1
+
A2
(a)级间交直流电压联负反馈
R6
Ui
Uo
+
A2
R2
R1
R5
R4
R3
+
A1
(b)级间交直流电压联正反馈
63
似计算：
精确计算：
67
69(1) (a)第级电流负反馈 Ro高第二级联负反馈求信号源阻高
电路连接合理第级串联负反馈求 RS越越
(b)第级电压负反馈 Ro低第二级串联负反馈求信号源阻低电路连接合理第级联负反馈求 RS越越
(2) (a)电路输入电阻高信号源阻变化时(a)电路输出电压稳定性源电压增益稳定性力强
(3) (a)电路输出电阻低负载变化时(a)电路输出电压稳定性源电压增益稳定性力强
611级间交直流电压串联负反馈
+
UCC
Uo
UEE
+
Ui
2k
10k
10k
120k
2k
47k
90k
10k
10k
2k
39k
V1
V2
V3
∞
低输入电阻低输出电阻应引入级间交流电压联负反馈
V3基极改接V2集电极输出端90kΩ电阻接V2基极改接V1基极
+
UCC
Uo
UEE
+
Ui
2k
10k
10k
120k
2k
47k
90k
10k
10k
2k
39k
V1
V2
V3
∞
613
ui
uo
R1
R4
R5
+
A1
+
A2
R2
R3
uo1
运放A1引入交直流电压串联负反馈
运放A2引入交直流电压联负反馈
ui
uo
R1
R4
R5
+
A1
+
A2
R2
R3
uo1
615RS
R1
R2
R3
R4
C1
C2
UCC
T1
T2
Uo
+
Us
+
(a)
(a)级间交流电压联负反馈
+
+
Us
Uo
T1
T2
C1
C2
R2
18k
R3
10k
R1
10k
R5
3k
R4
1k
RL
10k
R6
27k
(b)
UCC
RS
1k
(b)级间交流电流联负反馈
618解：(1) Auf(jf)幅频相频渐进波特图分图618(a)(b)示
20
40
60
80
dB
0
01
1
fπ
102
103
104
20dBdec
40dBdec
60dBdec
45o
135o
225o
fMHz
(a)
10
45odec
90odec
45odec
fMHz
0
45
90
135
180
225
270
(b)
(2)图618(a)知fπ316MHZf时反馈放器产生激
(3)留相位裕量图(a)出相应20lgAf60dB
(4) 20lgAf40dB
采补偿电容第极点频率移fd
补偿电容
果Auf1
621解：（1）题知开环放倍数
具3重极点放器果级附加移相－60°三级移相－180°加反馈会开始激级相移－60°°
导出应频率
然否满足振荡条件（附加相移＝－180°时|Au·F|否等1）
见该放器引入F01负反馈会产生激振荡
（2）求该放器产生激允许值Fmax？
（3）求45°相位裕度级相移－135°3＝－45°应限频率ω＝106开环增益
见求45°相位裕度反馈系数必须等007
第7章
71解：(a)根虚断特性
根虚短特性
(b)时电路转换反相输入求电路输出
时电路转换相输入求电路输出
根线性叠加原理总输出
74 解：运放A1输出运放A2输出运放A3构成双端输入求运算电路输出
78 解：(1)电路（a）反相例放器电路（b）相例放器传输特性曲线分图78′(a)(b)示
图78′
（2）输入信号输出信号波形分图78′(c)(d)示
720 解：(a)时输出处界状态发生翻转
根虚断特性
根线性叠加原理
时时
出回差电压 传输特性图720′(a)
(b)时输出处界状态发生翻转
根虚断特性
根线性叠加原理
时时
出回差电压 传输特性图720′(b)
(a) (b)
第8章
82解：(1)
(2)
(3)
88 (1)100kΩ1 kΩ电阻构成互补乙类功放电路运放构成相例放器间反馈通路引入级间电压串联负反馈
(2) 根
(3)
晶体参数应满足条件：
(4)
第9章
91 解：（1）
（2）二极VD1开路电路演变单相半波整流电路
（3）
93 解：（1）
（2）
（3）
94解：（1）电位器RW调端时时UO
电位器RW调端时时UO
输出电压UO调节范围9V～18V
（2）电位器RW调中间位置时
（3）电网电压升高时导致调整程：
97 解：（1）
（2）
（3）LM781213端正常情况承受电压危险情况短路时输出电流容易烧毁稳压器
（4）负载电流IL100mALM7812功率损耗
99 根图927说明输入电压uI降时串联脉宽调制开关型直流稳压电路稳压程
解：输入电压uI降时输出电压uO降采样电路uF降误差放器放输出uO1绝值降送入较器输出uO2占空增加致三极V2V1导通时间重加uC1占空增加续流二极VD滤波元件LC输出电压uO升抑制uO降达稳定输出电压作
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