模拟电子线路
单项选择题
1PN结加正电压时空间电荷区（ A ）
A．变窄
B．变
C．变宽
D．确定
2杂质半导体中数载流子浓度取决（ C ）
A．温度
B．掺杂工艺类型
C．杂质浓度
D．晶体中缺陷
3掺杂半导体中少子浓度受（ A ）影响
A．温度
B．掺杂工艺
C．杂质浓度
D．晶体缺陷
4N型半导体（ C ）
A．带正电
B．带负电
C．呈中性
D．确定
5半导体二极重特性（ B ）
A．温度稳定性
B．单导电性
C．放作
D．滤波特性
6实际二极理想二极区反特性中存（ B ）
A．死区电压
B．击穿电压
C．门槛电压
D．正电流
7温度升高时二极反饱电流（ C ）
A．基变
B．明显减
C．明显增加
D．确定变化
8二极伏安特性曲线反部分环境温度升高时（ D ）
A．右移
B．左移
C．移
D．移
9关BJT结构特点说法错误（ C ）
A．基区薄掺杂浓度低
B．发射区掺杂浓度远集电区掺杂浓度
C．基区掺杂浓度远集电区掺杂浓度
D．集电区面积发射区面积
10某三极电极电位图示判断该三极工作（ C ）
A．饱状态
B．截止状态
C．放状态
D．击穿状态
11信号模型分析法适合求解（ A ）
A．静态工作点
B．电压增益
C．输入电阻
D．输出电阻
12利微变等效电路计算晶体三极放电路（ B ）
A．直流参数
C．静态工作点
B．交流参数
D．交流直流参数
13某单放器输入信号波形输出信号波形该放器出现（ C ）失真
A．交越
B．截止
C．饱
D．阻塞性
14交流信号bc极间输入ec极间输出c极公端放电路（ D ）
A．基极放器
B．模放器
C．射极放器
D．集电极放器
15集电极放电路（ D ）
A．射极输出器
B．电压器
C．电流放器
D．电压放器
16发射极电路中采恒流源作源负载利（ B ）特点获较高增益
A．直流电阻交流电阻
C．直流电阻交流电阻
B．直流电阻交流电阻
D．直流电阻交流电阻
17引起放电路静态工作点稳定诸素中（ D ）影响
A．电源电压波动
C．元件参数分散性
B．元件老化
D．环境温度变化
18单级放电路三种基接法中特性做相互较描述正确（ B ）
A．射电路AvRiRo
C．基电路AvRiRo
B．集电路AvRiRo
D．射电路AvRiRo
19关JFET说法错误（ A ）
A．JFET电流控制电压器件受控制
B．JFET栅极沟道间PN结反偏置输入电阻阻值高
C．预夹断前呈似线性关系预夹断趋饱
D．P沟道JFET工作时电源极性N沟道JFET电源极性相反
20场效应起放作时应工作漏极特性（ B ）
A．非饱区
B．饱区
C．截止区
D．击穿区
21反映场效应放力重参数（ D ）
A．输入电阻
B．输出电阻
C．击穿电压
D．跨导
22关源放电路特点说法正确（ B ）
A．电压增益低
C．输入电阻
B．输入输出电压反相
D．输出电阻低
23关漏放电路特点说法正确（ A ）
A．电压增益1接1
C．输入电阻低
B．输入输出电压反相
D．输出电阻Rd决定
24关栅极放电路特点说法正确（ C ）
A．电压增益1接1
C．输入电阻
B．输入输出电压反相
D．输出电阻低
25电流源电路特点直流电阻（ B ）
A．
B．
C．恒定
D．定
26直接耦合级放电路中常采差分放电路作输入级目（ A ）
A．抑制零点漂移
C．提高带负载力
B．增加电压放倍数
D．增加电流放倍数
27关实际集成运放静态指标说法错误（ D ）
A．输入失调电压指输入电压零时输出电压零输入端加补偿电压
B．输入失调电流指输入电压零时流入放器两输入端静态基极电流差
C．输入偏置电流指集成运放两输入端静态电流均值
D．输入失调电压温漂外接调零装置办法补偿
28模输入信号指输入信号（ B ）
A．相等相位等
C．等相位相等
B．相等相位相等
D．相位等
29差分放器双端输入变单端输入差模电压增益（ C ）
A．增加倍
C．变
B．双端输入时12
D．确定
30差分放电路中vi1300mVvi2200mV分解（ B ）
A．vic500mVvid100mV
C．vic500mVvid50mV
B．vic250mVvid100mV
D．vic250mVvid50mV
31集成运放电路采直接耦合方式（ C ）
A．获放倍数
C．集成工艺难制造容量电容
B．温漂
D．放交流信号
32模抑制KCMR越表明电路（ C ）
A．放倍数越稳定
C．抑制温漂力越强
B．交流放倍数越
D．输入信号中差模成份越
33负反馈抑制干扰噪声（ B ）
A．输入信号包含干扰噪声
C．反馈环外干扰噪声
B．反馈环干扰噪声
D．输出信号中干扰噪声
34关负反馈放电路性影响说法错误（ A ）
A．放电路闭环增益Af增加
B．放电路增益稳定性提高
C．放电路通频带扩展
D．负反馈放电路性影响程度均反馈深度(1+AF)关
35负反馈效果更信号源阻较时宜采（ A ）
A．串联负反馈
B．联负反馈
C．电压负反馈
D．电流负反馈
36电压电流反馈判断方法说法错误（ D ）
A．常方法输出短路法
B．设RL0(vo0)反馈信号存电压反馈
C．设RL0(vo0)反馈信号然存电流反馈
D．电流负反馈稳定输出电压
37反馈放电路含义（ C ）
A．输出输入间信号通路
B．放电路外信号通路
C．电路中存反传输信号通路
D．电路中存输入信号削弱反传输通路
38欲信号源获更电流稳定输出电流应放电路中引入（ D ）
A．电压串联负反馈
B．电压联负反馈
C．电流串联负反馈
D．电流联负反馈
39关电压器说法错误（ A ）
A．输入电阻Ri→0
C．输出电阻Ro→0
B．电压增益等1
D．电路中常作阻抗变换器缓器
40运算放器中虚概念存（ A ）
A．反相例放器中
C．差动放器中
B．相例放器中
D．较器中
41反相例运算电路图示说法错误（ C ）
A．虚断
B．虚短反相输入端电位接电位虚
C．闭环电压增益
D．输出电压输入电压相位相反
42正弦波变成方波通（ D ）实现
A．加法器
B．正弦波振荡器
C．源滤波器
D．零压较器
43输入电压保持变等零（ D ）电路输出电压等零
A．加法
B．减法
C．积分
D．微分
44输入信号极极次变化程中迟滞较器输出会发生（ B ）次翻转
A．0
B．1
C．2
D．3
45串联反馈式稳压电路调整工作（ A ）状态
A．线性放
B．饱
C．截止
D．击穿
46稳压正常稳压工作时两端施加外部电压特点（ C ）
A．反偏置击穿
C．反偏置击穿
B．正偏置击穿
D．正偏置击穿
47乙类互补推挽功率放电路输出电压幅值等（ A ）时子功耗
A．0
C．064倍电源电压
B．电源电压
D．2倍电源电压
48乙类互补称功率放电路效率理想情况达（ B ）
A．60
B．78．5
C．89．5
D．99
49已知放器限截止频率限截止频率放器工作带宽（ C ）
A．
C．—
B．
D．
50想放频率10kHz信号时应采（ B ）滤波器
A．低通
B．高通
C．带阻
D．带通
答案110 ACACB BCDCC 1120 ABCDD BDBAB 2130 DBACB ADBCB
3140 CCBAA DCDAA 4150 CDDBA CABCB
二判断题（列说法否正确正确划√错误划×）
1未加外部电压时PN结中电流P区流N区（ × ）
2二极反电流值愈子单导电性愈（ √ ）
3集电结处正偏BJT定工作饱区（× ）
4射极器放倍数1电路中起作（ × ）
5电路放电流放电压称放作（ × ）
6反相例运算电路中运放反相输入端虚点（ √ ）
7相例运算电路输入电流等零（ √ ）
8结型场效应求栅源极间加反偏置电压（ √ ）
9场效应种电流控制器件（ × ）
10零偏压电路适场效应放电路（ × ）
11放电路采复合增放倍数输入电阻（√ ）
12镜电流源电路中两晶体特性应完全相（ √ ）
13甲类放电路效率高达785（ × ）
14乙类功放电路输出功率时功率消耗功率（ × ）
15差分放电路模信号具强抑制力（ √ ）
16正反馈改善放器性（ × ）
17电路引入正反馈定会产生正弦波振荡（ × ）
18负反馈越深电路性越稳定（ × ）
19放电路放倍数负引入反馈定负反馈（ × ）
20整流目正弦波变成方波（ × ）
答案：110 ×√××× √√√×× 1120 √√××√ ×××××
三填空题
1杂质半导体特点两种载流子浓度 导电性受温度影响 （等）
2参BJT三极导电载流子 （子少子）
3少子 产生（征激发）
4PN结构成半导体二极具特性 性（单导电）
5求放电路静态工作点应采 通路时应电路中电容器 直流电源 （直流开路保留）
6半导体三极结构分两种类型： NPN 型 PNP 型
7二极两端加正电压时 正偏 加反电压时 反偏
8BJT具放作外部条件发射结 正偏 集电结 反偏
9BJT处截止状态条件发射结 反偏 集电结 反偏
10温度升高时三极列参数变化趋势：电流放系数β 增 反饱电流ICBO 增 IB变时发射结正电压VBE 减
11射集基三种放电路中称射极输出器电压器 集 放电路
12输出电压输入电压相位相反放电路组态 发射极组态
13场效应结构分两类： MOSFET JFET
14源极放电路输入输出电压相位关系 反相
15直接耦合级放器存 零点漂移严重 问题
16电压联负反馈稳定 输出电压 输入电阻 减
17差动放器具抑制 模 信号放 差模 信号力
18放电路中提高输入电阻应引入 串联 负反馈减输出电阻应引入 电压 负反馈
19负反馈放电路四种类型分：电压串联负反馈电压联负反馈电流串联负反馈电流联负反馈
20乙类推挽放器失真 交越失真 消失真应改 甲乙 类推挽放器
21模信号指两信号 相等 极性 相
22集成运算放器工作例运算放时处 线性 区作较器工作时处 非线性 区
23稳压具稳定 电压 作工作 反击穿 状态（电压反击穿）
24甲类放器导通角 360° 乙类放器导通角 180° （360°180°）
四简答题
1温度变化时会引起BJT参数变化？变化？
答：温度升高增温度升高减
2三极种工作状态工作条件特点什？
答：三极放截止饱三种工作状态发射结正偏集电结反偏工作放状态该区电流放作发射结集电结均反偏工作截止状态该区集电极电流基零发射结集电结均正偏工作饱状态该区压降
3集成运算放器部分组成特点？
答：集成运算放器输入级中间级输出级偏置电路四部分组成输入级采差动放器减零点漂移抑制模信号中间级采源负载复合射放器提高电压放倍数输出级采甲乙类互补称功率放器减交越失真提高电源转换效率级采统偏置电路系统提供稳定偏置电流提高静态工作点稳定性
4什负反馈改善放器性放器性什影响？
答：负反馈放器具动调节净输入信号输出趋稳定力改善放器性（1）提高放倍数稳定（2）减少非线性失真（3）抑制反馈环噪声（4）根需改变输入电阻输出电阻
5稳压稳压电路电路组成起什作？
答：稳压稳压电路限流电阻稳压组成限流电阻起限流调压作稳压工作反击穿状态起电流调节作达稳定输出电压目
6什电路交流电变稳定直流电该电路部分组成？部分关键元件什？起什作？
答：直流稳压电路交流电变稳定直流电该电路整流电路滤波电路稳压电路等三部分组成整流电路关键元件电源变压器整流二极起变交流电直流电作滤波电路通常电容器构成脉动直流电变滑稳压电路稳压稳压电路串联型稳压电路组成交流电压幅度波动负载变动时输出电压稳定
五分析题
1﹑二极电路图图中二极理想二极E1＝5VE2＝5VVi(V)：
（1）Vi值时D1D2导通（2）Vi波形画出Vo波形
解：（1）Vi5VD1导通Vi－5VD2导通
（2）Vo双限幅波形波形图：
2测某放电路中BJT三电极ABC电位分VA －6VVB 0VVC －07V试分析ABC中基极发射极集电极说明BJTNPNPNP？
解：{解题思路：已知该三极工作放状态发射结正偏集电结反偏NPN型三极Vc>Vb>VePNP型三极Ve>Vb>Vc
已知0V>－07V >－6 V电极C（－07V）应基极基极电位相差07V发射极电极B（0V）应发射极电极A（－6V）应集电极该BJTPNP
结：ABC分集电极发射极基极该BJTPNP
3图反馈放器电路
（1）判断反馈放器反馈类型
（2）说明输出电压输出电流输入电阻影响
解：（1）（a）电压联负反馈（b）电流串联负反馈
（2）（a）稳定输出电压减少输入电阻（b）稳定输出电流增输入电阻
4设图示电路中运放均理想试写出电路输出输入关系式
（a） （b）
解：（a）
（b）
5﹑差动减法电路图示求输出电压表达式时？
解： 差动减法电路输出电压
时
6加减运算电路图示假设运放理想求输出电压vo表达式
解：叠加原理输出电压做分组单独作结果叠加
单独作时电路变反相加法器图（a）
图（a）
时
单独作时电路变相加法器图（b）
图（b）
利节点电压法：
7电路图示试求输出电压表达式
解：图知
已知
：
8运放电路图请写出：
（1）Vo1ViVo4关系式
（2）Vo3Vo关系式
（3）Vo4Vo3关系式
（4）Vo1Vo关系式
（5）推导输出电压Vo输入电压Vi关系式
解：（1）Vo1Vi 3Vo4
（2）Vo3 Vo
（3）Vo4 01 Vo3
（4）Vo1 01
（5）Vi– 03 Vo – 01 0
六计算题
1图示射放电路中已知UCC24VRB133kΩRB210kΩRC33kΩRE15kΩ晶体硅试求放电路静态值UBIE
解：题考查射放电路静态工作点求解根静态工作点定义：
2单放电路图示UBE 07VRC 4kWIB 50mA测UCE 10V试求IC晶体b
解：
3已知三级放电路中电路输入信号放少倍？总电压增益少dB？
解：dB（分贝）转换倍数
设三级放电路中级放倍数均A转换dB（分贝）
令20dB
求A10级放倍数均10
三级放电路总电压放倍数10×10×101000
转换dB（分贝）
4级放器图示已知：计算（）（）
解： （求时忽略）：
：
5集成运放电路图示图中VZ＝9V
（1）运放A引入什反馈构成种电路？
（2）求门限电压VT
（3）画出电压传输特性Vo～Vi曲线
解：（1）正反馈构成反相输入双门限较器
（2）
门限电压VT＝
（3）电压传输特性：
6差分放器图示已知三极T1T2试完成列工作：
（1）估算电路静态工作点（ICIBVCE）
（2）计算双端输入双端输出差模电压增益Avd差模输入电阻Rid输出电阻Ro
（3）计算双端输入双端输出模电压增益Avc模抑制KCMR
解：（1）
（2）
（3）
7运算电路图示（1）分写出uo1uo2ui1ui2间运算关系（2）R110kΩR240kΩR3 30kΩRf1 60kΩRf2 25kΩC 8μFui1 15Vui2 05V求输出电压uo1（3）实现uo1 ui2 — ui1电路中电阻元件参数关系应设置？
解：（1）
（2）
（3）R1 R2 R3 Rf1
8设运放理想器件正弦波振荡电路图示已知
（1）满足振荡条件试图中+—标出运放A相端反相端
（2）起振Rf 应值？
（3）电路振荡频率fo？
解：（1）运放A输入端应—+
（2）起振求
（3）振荡频率
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单项选择题
1PN结加正电压时空间电荷区（ A ）
A．变窄
B．变
C．变宽
D．确定
2杂质半导体中数载流子浓度取决（ C ）
A．温度
B．掺杂工艺类型
C．杂质浓度
D．晶体中缺陷
3掺杂半导体中少子浓度受（ A ）影响
A．温度
B．掺杂工艺
C．杂质浓度
D．晶体缺陷
4N型半导体（ C ）
A．带正电
B．带负电
C．呈中性
D．确定
5半导体二极重特性（ B ）
A．温度稳定性
B．单导电性
C．放作
D．滤波特性
6实际二极理想二极区反特性中存（ B ）
A．死区电压
B．击穿电压
C．门槛电压
D．正电流
7温度升高时二极反饱电流（ C ）
A．基变
B．明显减
C．明显增加
D．确定变化
8二极伏安特性曲线反部分环境温度升高时（ D ）
A．右移
B．左移
C．移
D．移
9关BJT结构特点说法错误（ C ）
A．基区薄掺杂浓度低
B．发射区掺杂浓度远集电区掺杂浓度
C．基区掺杂浓度远集电区掺杂浓度
D．集电区面积发射区面积
10某三极电极电位图示判断该三极工作（ C ）
A．饱状态
B．截止状态
C．放状态
D．击穿状态
11信号模型分析法适合求解（ A ）
A．静态工作点
B．电压增益
C．输入电阻
D．输出电阻
12利微变等效电路计算晶体三极放电路（ B ）
A．直流参数
C．静态工作点
B．交流参数
D．交流直流参数
13某单放器输入信号波形输出信号波形该放器出现（ C ）失真
A．交越
B．截止
C．饱
D．阻塞性
14交流信号bc极间输入ec极间输出c极公端放电路（ D ）
A．基极放器
B．模放器
C．射极放器
D．集电极放器
15集电极放电路（ D ）
A．射极输出器
B．电压器
C．电流放器
D．电压放器
16发射极电路中采恒流源作源负载利（ B ）特点获较高增益
A．直流电阻交流电阻
C．直流电阻交流电阻
B．直流电阻交流电阻
D．直流电阻交流电阻
17引起放电路静态工作点稳定诸素中（ D ）影响
A．电源电压波动
C．元件参数分散性
B．元件老化
D．环境温度变化
18单级放电路三种基接法中特性做相互较描述正确（ B ）
A．射电路AvRiRo
C．基电路AvRiRo
B．集电路AvRiRo
D．射电路AvRiRo
19关JFET说法错误（ A ）
A．JFET电流控制电压器件受控制
B．JFET栅极沟道间PN结反偏置输入电阻阻值高
C．预夹断前呈似线性关系预夹断趋饱
D．P沟道JFET工作时电源极性N沟道JFET电源极性相反
20场效应起放作时应工作漏极特性（ B ）
A．非饱区
B．饱区
C．截止区
D．击穿区
21反映场效应放力重参数（ D ）
A．输入电阻
B．输出电阻
C．击穿电压
D．跨导
22关源放电路特点说法正确（ B ）
A．电压增益低
C．输入电阻
B．输入输出电压反相
D．输出电阻低
23关漏放电路特点说法正确（ A ）
A．电压增益1接1
C．输入电阻低
B．输入输出电压反相
D．输出电阻Rd决定
24关栅极放电路特点说法正确（ C ）
A．电压增益1接1
C．输入电阻
B．输入输出电压反相
D．输出电阻低
25电流源电路特点直流电阻（ B ）
A．
B．
C．恒定
D．定
26直接耦合级放电路中常采差分放电路作输入级目（ A ）
A．抑制零点漂移
C．提高带负载力
B．增加电压放倍数
D．增加电流放倍数
27关实际集成运放静态指标说法错误（ D ）
A．输入失调电压指输入电压零时输出电压零输入端加补偿电压
B．输入失调电流指输入电压零时流入放器两输入端静态基极电流差
C．输入偏置电流指集成运放两输入端静态电流均值
D．输入失调电压温漂外接调零装置办法补偿
28模输入信号指输入信号（ B ）
A．相等相位等
C．等相位相等
B．相等相位相等
D．相位等
29差分放器双端输入变单端输入差模电压增益（ C ）
A．增加倍
C．变
B．双端输入时12
D．确定
30差分放电路中vi1300mVvi2200mV分解（ B ）
A．vic500mVvid100mV
C．vic500mVvid50mV
B．vic250mVvid100mV
D．vic250mVvid50mV
31集成运放电路采直接耦合方式（ C ）
A．获放倍数
C．集成工艺难制造容量电容
B．温漂
D．放交流信号
32模抑制KCMR越表明电路（ C ）
A．放倍数越稳定
C．抑制温漂力越强
B．交流放倍数越
D．输入信号中差模成份越
33负反馈抑制干扰噪声（ B ）
A．输入信号包含干扰噪声
C．反馈环外干扰噪声
B．反馈环干扰噪声
D．输出信号中干扰噪声
34关负反馈放电路性影响说法错误（ A ）
A．放电路闭环增益Af增加
B．放电路增益稳定性提高
C．放电路通频带扩展
D．负反馈放电路性影响程度均反馈深度(1+AF)关
35负反馈效果更信号源阻较时宜采（ A ）
A．串联负反馈
B．联负反馈
C．电压负反馈
D．电流负反馈
36电压电流反馈判断方法说法错误（ D ）
A．常方法输出短路法
B．设RL0(vo0)反馈信号存电压反馈
C．设RL0(vo0)反馈信号然存电流反馈
D．电流负反馈稳定输出电压
37反馈放电路含义（ C ）
A．输出输入间信号通路
B．放电路外信号通路
C．电路中存反传输信号通路
D．电路中存输入信号削弱反传输通路
38欲信号源获更电流稳定输出电流应放电路中引入（ D ）
A．电压串联负反馈
B．电压联负反馈
C．电流串联负反馈
D．电流联负反馈
39关电压器说法错误（ A ）
A．输入电阻Ri→0
C．输出电阻Ro→0
B．电压增益等1
D．电路中常作阻抗变换器缓器
40运算放器中虚概念存（ A ）
A．反相例放器中
C．差动放器中
B．相例放器中
D．较器中
41反相例运算电路图示说法错误（ C ）
A．虚断
B．虚短反相输入端电位接电位虚
C．闭环电压增益
D．输出电压输入电压相位相反
42正弦波变成方波通（ D ）实现
A．加法器
B．正弦波振荡器
C．源滤波器
D．零压较器
43输入电压保持变等零（ D ）电路输出电压等零
A．加法
B．减法
C．积分
D．微分
44输入信号极极次变化程中迟滞较器输出会发生（ B ）次翻转
A．0
B．1
C．2
D．3
45串联反馈式稳压电路调整工作（ A ）状态
A．线性放
B．饱
C．截止
D．击穿
46稳压正常稳压工作时两端施加外部电压特点（ C ）
A．反偏置击穿
C．反偏置击穿
B．正偏置击穿
D．正偏置击穿
47乙类互补推挽功率放电路输出电压幅值等（ A ）时子功耗
A．0
C．064倍电源电压
B．电源电压
D．2倍电源电压
48乙类互补称功率放电路效率理想情况达（ B ）
A．60
B．78．5
C．89．5
D．99
49已知放器限截止频率限截止频率放器工作带宽（ C ）
A．
C．—
B．
D．
50想放频率10kHz信号时应采（ B ）滤波器
A．低通
B．高通
C．带阻
D．带通
答案110 ACACB BCDCC 1120 ABCDD BDBAB 2130 DBACB ADBCB
3140 CCBAA DCDAA 4150 CDDBA CABCB
二判断题（列说法否正确正确划√错误划×）
1未加外部电压时PN结中电流P区流N区（ × ）
2二极反电流值愈子单导电性愈（ √ ）
3集电结处正偏BJT定工作饱区（× ）
4射极器放倍数1电路中起作（ × ）
5电路放电流放电压称放作（ × ）
6反相例运算电路中运放反相输入端虚点（ √ ）
7相例运算电路输入电流等零（ √ ）
8结型场效应求栅源极间加反偏置电压（ √ ）
9场效应种电流控制器件（ × ）
10零偏压电路适场效应放电路（ × ）
11放电路采复合增放倍数输入电阻（√ ）
12镜电流源电路中两晶体特性应完全相（ √ ）
13甲类放电路效率高达785（ × ）
14乙类功放电路输出功率时功率消耗功率（ × ）
15差分放电路模信号具强抑制力（ √ ）
16正反馈改善放器性（ × ）
17电路引入正反馈定会产生正弦波振荡（ × ）
18负反馈越深电路性越稳定（ × ）
19放电路放倍数负引入反馈定负反馈（ × ）
20整流目正弦波变成方波（ × ）
答案：110 ×√××× √√√×× 1120 √√××√ ×××××
三填空题
1杂质半导体特点两种载流子浓度 导电性受温度影响 （等）
2参BJT三极导电载流子 （子少子）
3少子 产生（征激发）
4PN结构成半导体二极具特性 性（单导电）
5求放电路静态工作点应采 通路时应电路中电容器 直流电源 （直流开路保留）
6半导体三极结构分两种类型： NPN 型 PNP 型
7二极两端加正电压时 正偏 加反电压时 反偏
8BJT具放作外部条件发射结 正偏 集电结 反偏
9BJT处截止状态条件发射结 反偏 集电结 反偏
10温度升高时三极列参数变化趋势：电流放系数β 增 反饱电流ICBO 增 IB变时发射结正电压VBE 减
11射集基三种放电路中称射极输出器电压器 集 放电路
12输出电压输入电压相位相反放电路组态 发射极组态
13场效应结构分两类： MOSFET JFET
14源极放电路输入输出电压相位关系 反相
15直接耦合级放器存 零点漂移严重 问题
16电压联负反馈稳定 输出电压 输入电阻 减
17差动放器具抑制 模 信号放 差模 信号力
18放电路中提高输入电阻应引入 串联 负反馈减输出电阻应引入 电压 负反馈
19负反馈放电路四种类型分：电压串联负反馈电压联负反馈电流串联负反馈电流联负反馈
20乙类推挽放器失真 交越失真 消失真应改 甲乙 类推挽放器
21模信号指两信号 相等 极性 相
22集成运算放器工作例运算放时处 线性 区作较器工作时处 非线性 区
23稳压具稳定 电压 作工作 反击穿 状态（电压反击穿）
24甲类放器导通角 360° 乙类放器导通角 180° （360°180°）
四简答题
1温度变化时会引起BJT参数变化？变化？
答：温度升高增温度升高减
2三极种工作状态工作条件特点什？
答：三极放截止饱三种工作状态发射结正偏集电结反偏工作放状态该区电流放作发射结集电结均反偏工作截止状态该区集电极电流基零发射结集电结均正偏工作饱状态该区压降
3集成运算放器部分组成特点？
答：集成运算放器输入级中间级输出级偏置电路四部分组成输入级采差动放器减零点漂移抑制模信号中间级采源负载复合射放器提高电压放倍数输出级采甲乙类互补称功率放器减交越失真提高电源转换效率级采统偏置电路系统提供稳定偏置电流提高静态工作点稳定性
4什负反馈改善放器性放器性什影响？
答：负反馈放器具动调节净输入信号输出趋稳定力改善放器性（1）提高放倍数稳定（2）减少非线性失真（3）抑制反馈环噪声（4）根需改变输入电阻输出电阻
5稳压稳压电路电路组成起什作？
答：稳压稳压电路限流电阻稳压组成限流电阻起限流调压作稳压工作反击穿状态起电流调节作达稳定输出电压目
6什电路交流电变稳定直流电该电路部分组成？部分关键元件什？起什作？
答：直流稳压电路交流电变稳定直流电该电路整流电路滤波电路稳压电路等三部分组成整流电路关键元件电源变压器整流二极起变交流电直流电作滤波电路通常电容器构成脉动直流电变滑稳压电路稳压稳压电路串联型稳压电路组成交流电压幅度波动负载变动时输出电压稳定
五分析题
1﹑二极电路图图中二极理想二极E1＝5VE2＝5VVi(V)：
（1）Vi值时D1D2导通（2）Vi波形画出Vo波形
解：（1）Vi5VD1导通Vi－5VD2导通
（2）Vo双限幅波形波形图：
2测某放电路中BJT三电极ABC电位分VA －6VVB 0VVC －07V试分析ABC中基极发射极集电极说明BJTNPNPNP？
解：{解题思路：已知该三极工作放状态发射结正偏集电结反偏NPN型三极Vc>Vb>VePNP型三极Ve>Vb>Vc
已知0V>－07V >－6 V电极C（－07V）应基极基极电位相差07V发射极电极B（0V）应发射极电极A（－6V）应集电极该BJTPNP
结：ABC分集电极发射极基极该BJTPNP
3图反馈放器电路
（1）判断反馈放器反馈类型
（2）说明输出电压输出电流输入电阻影响
解：（1）（a）电压联负反馈（b）电流串联负反馈
（2）（a）稳定输出电压减少输入电阻（b）稳定输出电流增输入电阻
4设图示电路中运放均理想试写出电路输出输入关系式
（a） （b）
解：（a）
（b）
5﹑差动减法电路图示求输出电压表达式时？
解： 差动减法电路输出电压
时
6加减运算电路图示假设运放理想求输出电压vo表达式
解：叠加原理输出电压做分组单独作结果叠加
单独作时电路变反相加法器图（a）
图（a）
时
单独作时电路变相加法器图（b）
图（b）
利节点电压法：
7电路图示试求输出电压表达式
解：图知
已知
：
8运放电路图请写出：
（1）Vo1ViVo4关系式
（2）Vo3Vo关系式
（3）Vo4Vo3关系式
（4）Vo1Vo关系式
（5）推导输出电压Vo输入电压Vi关系式
解：（1）Vo1Vi 3Vo4
（2）Vo3 Vo
（3）Vo4 01 Vo3
（4）Vo1 01
（5）Vi– 03 Vo – 01 0
六计算题
1图示射放电路中已知UCC24VRB133kΩRB210kΩRC33kΩRE15kΩ晶体硅试求放电路静态值UBIE
解：题考查射放电路静态工作点求解根静态工作点定义：
2单放电路图示UBE 07VRC 4kWIB 50mA测UCE 10V试求IC晶体b
解：
3已知三级放电路中电路输入信号放少倍？总电压增益少dB？
解：dB（分贝）转换倍数
设三级放电路中级放倍数均A转换dB（分贝）
令20dB
求A10级放倍数均10
三级放电路总电压放倍数10×10×101000
转换dB（分贝）
4级放器图示已知：计算（）（）
解： （求时忽略）：
：
5集成运放电路图示图中VZ＝9V
（1）运放A引入什反馈构成种电路？
（2）求门限电压VT
（3）画出电压传输特性Vo～Vi曲线
解：（1）正反馈构成反相输入双门限较器
（2）
门限电压VT＝
（3）电压传输特性：
6差分放器图示已知三极T1T2试完成列工作：
（1）估算电路静态工作点（ICIBVCE）
（2）计算双端输入双端输出差模电压增益Avd差模输入电阻Rid输出电阻Ro
（3）计算双端输入双端输出模电压增益Avc模抑制KCMR
解：（1）
（2）
（3）
7运算电路图示（1）分写出uo1uo2ui1ui2间运算关系（2）R110kΩR240kΩR3 30kΩRf1 60kΩRf2 25kΩC 8μFui1 15Vui2 05V求输出电压uo1（3）实现uo1 ui2 — ui1电路中电阻元件参数关系应设置？
解：（1）
（2）
（3）R1 R2 R3 Rf1
8设运放理想器件正弦波振荡电路图示已知
（1）满足振荡条件试图中+—标出运放A相端反相端
（2）起振Rf 应值？
（3）电路振荡频率fo？
解：（1）运放A输入端应—+
（2）起振求
（3）振荡频率
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